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onsemi安森美NV25320DWHFT3G 32Kb SPI EEPROM汽車級(jí)存儲(chǔ)器 SOIC-8封裝
產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格詳解NV25320DWHFT3G是onsemi(安森美) 推出的汽車級(jí)EEPROM存儲(chǔ)器解決方案,采用SOIC-8表面貼裝封裝形式。該器件在單芯片上集成了32Kbit(4K ...
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介 / Introduction

產(chǎn)品概述與技術(shù)規(guī)格詳解

NV25320DWHFT3G是onsemi(安森美) 推出的汽車級(jí)EEPROM存儲(chǔ)器解決方案,采用SOIC-8表面貼裝封裝形式。該器件在單芯片上集成了32Kbit(4K x 8)的非易失性存儲(chǔ)空間,通過高速SPI串行接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)讀寫操作。其10MHz的最大時(shí)鐘頻率配合40ns的訪問時(shí)間,為各類嵌入式系統(tǒng)提供了高效數(shù)據(jù)存儲(chǔ)支持,特別適合需要頻繁快速存取配置參數(shù)和數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用場(chǎng)景。

在電氣特性方面,NV25320DWHFT3G展現(xiàn)了出色的適應(yīng)性,支持2.5V至5.5V的寬工作電壓范圍,能夠無縫兼容3.3V和5V系統(tǒng)設(shè)計(jì)。其工作電流僅為2mA(典型值),最大工作電流不超過3mA,有效降低系統(tǒng)功耗。該器件提供卓越的寫入性能,頁寫緩沖區(qū)支持32字節(jié)頁寫操作,寫入周期時(shí)間僅為4ms,顯著提升數(shù)據(jù)記錄效率。在數(shù)據(jù)保存能力方面,它提供了長達(dá)200年的數(shù)據(jù)保存期限,確保關(guān)鍵信息在設(shè)備全生命周期內(nèi)的完整可靠。

應(yīng)用場(chǎng)景與行業(yè)解決方案

NV25320DWHFT3G憑借其汽車級(jí)認(rèn)證寬溫度適應(yīng)性,在嚴(yán)苛環(huán)境應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括:

· 汽車電子系統(tǒng):適用于發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元(ECU)、傳感器數(shù)據(jù)記錄、車載信息娛樂系統(tǒng)配置存儲(chǔ)等領(lǐng)域。其AEC-Q100認(rèn)證確保器件滿足汽車電子可靠性標(biāo)準(zhǔn),可在-40℃至+150℃的環(huán)境溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作,即使安裝在發(fā)動(dòng)機(jī)艙等高溫區(qū)域也能確保數(shù)據(jù)完整性。

· 工業(yè)自動(dòng)化與控制:在工業(yè)PLC、HMI設(shè)備、電機(jī)控制器中存儲(chǔ)校準(zhǔn)數(shù)據(jù)和運(yùn)行參數(shù)。其寬電壓范圍(2.5V-5.5V)適應(yīng)工業(yè)環(huán)境中常見的電壓波動(dòng),SPI接口的抗干擾特性確保在嘈雜電氣環(huán)境中仍能可靠通信。

· 醫(yī)療電子設(shè)備:用于便攜醫(yī)療設(shè)備的數(shù)據(jù)記錄和配置存儲(chǔ),其低功耗特性延長電池供電設(shè)備的運(yùn)行時(shí)間。數(shù)據(jù)保存期限長達(dá)200年,滿足醫(yī)療設(shè)備對(duì)長期數(shù)據(jù)歸檔的要求。

· 物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備:在智能傳感器節(jié)點(diǎn)中存儲(chǔ)設(shè)備配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù),其小尺寸SOIC-8封裝適應(yīng)空間受限的設(shè)計(jì),SPI接口與主流微控制器實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)潔高效連接。

品質(zhì)與可靠性保障

NV25320DWHFT3G已通過AEC-Q100汽車電子認(rèn)證,該標(biāo)準(zhǔn)是汽車行業(yè)公認(rèn)的可靠性測(cè)試規(guī)范,驗(yàn)證了器件在嚴(yán)苛環(huán)境下的耐受能力和長期可靠性。與商用級(jí)EEPROM相比,該器件在材料選擇、生產(chǎn)工藝和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)上都執(zhí)行了更嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn),確保在溫度循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)、高濕度等惡劣條件下仍能保持性能穩(wěn)定。

該器件集成了硬件和軟件寫保護(hù)機(jī)制,防止關(guān)鍵數(shù)據(jù)被意外覆蓋或篡改。用戶可通過寫保護(hù)引腳(WP)或內(nèi)部寄存器設(shè)置不同的保護(hù)范圍,從1/4陣列到整個(gè)存儲(chǔ)器陣列,為不同安全需求提供靈活選擇1。內(nèi)部集成的錯(cuò)誤檢測(cè)與糾正機(jī)制進(jìn)一步提升了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性,確保在電磁干擾等復(fù)雜環(huán)境中仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。

技術(shù)優(yōu)勢(shì)分析

NV25320DWHFT3G在技術(shù)上具有多重優(yōu)勢(shì):

· 接口效率優(yōu)化SPI接口支持高達(dá)10MHz的時(shí)鐘頻率,配合40ns的訪問時(shí)間,實(shí)現(xiàn)了高速數(shù)據(jù)吞吐能力。其兼容標(biāo)準(zhǔn)SPI模式0和3,確保與各種微控制器的廣泛兼容性。

· 寬溫范圍支持-40℃至+150℃的工作溫度范圍遠(yuǎn)超常規(guī)工業(yè)級(jí)芯片(-40℃至+85℃),特別適合高溫環(huán)境應(yīng)用。在150℃極端溫度下仍能保持?jǐn)?shù)據(jù)讀寫功能,解決了高溫環(huán)境電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)難題。

· 耐久性與可靠性:提供至少100萬次擦寫周期的耐久性,結(jié)合200年數(shù)據(jù)保存能力,滿足長壽命產(chǎn)品需求。內(nèi)部電荷泵電路確保在低電壓環(huán)境下仍能完成可靠的寫入操作。

· 封裝與集成優(yōu)勢(shì)SOIC-8封裝(3.90mm寬度)符合表面貼裝自動(dòng)化生產(chǎn)要求,便于高效PCB組裝。封裝尺寸在保證可靠性的同時(shí)兼顧空間效率,引腳排列符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),便于現(xiàn)有設(shè)計(jì)升級(jí)。

· 電源適應(yīng)性2.5V至5.5V的寬電壓范圍支持無縫系統(tǒng)集成,無需電平轉(zhuǎn)換電路即可連接3.3V或5V微控制器系統(tǒng),簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并降低BOM成本。

NV25320DWHFT3G代表了高可靠性EEPROM技術(shù)的重要進(jìn)展,其獨(dú)特的技術(shù)特性使其在汽車電子、工業(yè)自動(dòng)化等高要求領(lǐng)域具有不可替代的價(jià)值。隨著汽車電子化和工業(yè)4.0的發(fā)展,對(duì)寬溫可靠存儲(chǔ)的需求將持續(xù)增長,此類汽車級(jí)存儲(chǔ)器件將成為關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計(jì)的首選解決方案。安森美通過該產(chǎn)品展現(xiàn)了其在高性能存儲(chǔ)領(lǐng)域的技術(shù)積累,為下一代電子系統(tǒng)提供了值得信賴的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)基礎(chǔ)。

總結(jié)

NV25320DWHFT3G作為安森美推出的汽車級(jí)EEPROM解決方案,集成了32Kbit SPI接口存儲(chǔ)陣列,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)SOIC-8封裝,支持-40℃至+150℃的寬溫度范圍操作,并通過AEC-Q100認(rèn)證。該器件提供10MHz高速通信、40ns訪問時(shí)間和4ms寫入周期性能,結(jié)合2.5V至5.5V寬電壓支持,為汽車電子、工業(yè)控制等高可靠性應(yīng)用提供了理想的非易失性存儲(chǔ)解決方案。其200年數(shù)據(jù)保存能力和硬件/軟件寫保護(hù)功能進(jìn)一步確保了關(guān)鍵數(shù)據(jù)在嚴(yán)苛環(huán)境下的長期安全。

 

 

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